R8008ANX
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| Número de pieza | R8008ANX |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.868 | $1.669 | $1.369 | $1.108 | $0.935 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | R8008ANX | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 34994 pcs | Ficha de datos | R8008ANX |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220FM | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.03 Ohm @ 4A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 50W (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 39nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V | Descripción detallada | N-Channel 800V 8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
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