R6035KNZC8
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| Número de pieza | R6035KNZC8 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.521 | $4.07 | $3.346 | $2.803 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | R6035KNZC8 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 12984 pcs | Ficha de datos | R6035KNZ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-3PF | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 102 mOhm @ 18.1A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 102W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-3P-3 Full Pack |
| Otros nombres | R6035KNZC8TR R6035KNZC8TR-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 15 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 35A (Tc) 102W (Tc) Through Hole TO-3PF | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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