R6030ENZC8
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| Número de pieza | R6030ENZC8 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.305 | $2.058 | $1.688 | $1.367 | $1.153 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | R6030ENZC8 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 30996 pcs | Ficha de datos | R6030ENZ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-3PF | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 120W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-3P-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 85nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
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