R6018ANJTL
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| Número de pieza | R6018ANJTL |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.218 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | R6018ANJTL | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 29015 pcs | Ficha de datos | R6018ANJ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | LPTS | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 270 mOhm @ 9A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 100W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 18A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
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