R6008FNX
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| Número de pieza | R6008FNX |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.423 | $1.269 | $1.04 | $0.843 | $0.711 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | R6008FNX | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 45355 pcs | Ficha de datos | R6008FNX |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220FM | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 950 mOhm @ 4A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 50W (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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