ES6U2T2R
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| Número de pieza | ES6U2T2R |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.038 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | ES6U2T2R | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 516807 pcs | Ficha de datos | ES6U2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-WEMT | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | N-Channel 20V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
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