EMF5T2R

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Número de pieza	EMF5T2R
Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS

~~In Stock~~ 525090 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	8000 pcs	16000 pcs	24000 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$0.047	$0.044	$0.04

Parámetro del producto
Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	EMF5T2R	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	525090 pcs	Ficha de datos	EMT6 T2R Taping Spec EMF5
Categoría	Productos semiconductores discretos	Tensión - Colector-emisor (máx)	50V, 12V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA	Tipo de transistor	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Paquete del dispositivo	EMT6	Serie	-
Resistor - Base del emisor (R2)	47 kOhms	Resistor - Base (R1)	47 kOhms
Potencia - Max	150mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	EMF5T2R-ND EMF5T2RTR
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	250MHz, 260MHz	Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V	Corriente - corte del colector (Max)	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA, 500mA	Número de pieza base	*MF5

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