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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTC363EUT106

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Número de pieza DTC363EUT106
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 4707 pcs
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Número de pieza DTC363EUT106 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4707 pcs Ficha de datos DTC363EU/EK/ES
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 20V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo UMT3 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 6.8 kOhms Resistor - Base (R1) 6.8 kOhms
Potencia - Max 200mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323 Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 200MHz Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 600mA Número de pieza base DTC363

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