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DTC123EUAT106

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Número de pieza DTC123EUAT106
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 3431858 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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Número de pieza DTC123EUAT106 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 3431858 pcs Ficha de datos UMT3 T106 Taping SpecDTC123Ex(A)
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo UMT3 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 2.2 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potencia - Max 200mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323 Otros nombres DTC123EUAT106-ND
DTC123EUAT106TR
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base DTC123

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