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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTC023JMT2L

DTC023JMT2L

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Número de pieza DTC023JMT2L
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 3084887 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza DTC023JMT2L Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 3084887 pcs Ficha de datos VMT3 T2L Taping SpecDTC023J Series
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo VMT3 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potencia - Max 150mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-723 Otros nombres DTC023JMT2LTR
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corriente - corte del colector (Max) -
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

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