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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTA115GUAT106

DTA115GUAT106

DTA115GUAT106
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Número de pieza DTA115GUAT106
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 3683304 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs
$0.012$0.011$0.01
30000 pcs75000 pcs150000 pcs
$0.009$0.008$0.006

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Número de pieza DTA115GUAT106 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 3683304 pcs Ficha de datos DTA115GUA/GKAUMT3 T106 Taping Spec
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo UMT3 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 100 kOhms Potencia - Max 200mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323
Otros nombres DTA115GUAT106-ND
DTA115GUAT106TR		 Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA (ICBO) Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base DTA115

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