BS2100F-E2
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| Número de pieza | BS2100F-E2 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | IC DVR IGBT/MOSFET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.18 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | BS2100F-E2 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DVR IGBT/MOSFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 122493 pcs | Ficha de datos | BS2100F |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Suministro de voltaje | 10 V ~ 18 V |
| Paquete del dispositivo | 8-SOP | Serie | - |
| Tiempo de subida / bajada (típico) | 200ns, 100ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | Otros nombres | BS2100F-E2TR |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | estilo de la llave | 2 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tensión lógica - VIL, VIH | 1V, 2.6V | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada | Non-Inverting | High Voltage - Máx (Bootstrap) | 600V |
| Tipo de Puerta | N-Channel MOSFET | Configuración impulsada | Half-Bridge |
| Descripción detallada | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP | Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero) | 60mA, 130mA |
| Corriente de carga | Independent |
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