SPB35N10
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| Número de pieza | SPB35N10 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SPB35N10 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4330 pcs | Ficha de datos | SP(I,P,B)35N10 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 83µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO263-3-2 | Serie | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 44 mOhm @ 26.4A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | SPB35N10INTR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 65nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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