IRFU1010ZPBF
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| Número de pieza | IRFU1010ZPBF |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRFU1010ZPBF | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4022 pcs | Ficha de datos | IRF(R,U)1010ZPbF |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | IPAK (TO-251) | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 42A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 140W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres | *IRFU1010ZPBF SP001567720 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 95nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V | Descripción detallada | N-Channel 55V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
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