IRFSL3207
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| Número de pieza | IRFSL3207 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 75V 180A TO-262 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRFSL3207 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 75V 180A TO-262 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4359 pcs | Ficha de datos | IRFB3207, IRFS(L)3207 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-262 | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 330W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | *IRFSL3207 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 260nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 75V | Descripción detallada | N-Channel 75V 180A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
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