IRFS3307PBF
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| Número de pieza | IRFS3307PBF |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRFS3307PBF | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5922 pcs | Ficha de datos | IRF(B/S/SL)3307PbF |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 150µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 75A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 200W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | SP001557274 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 180nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 75V | Descripción detallada | N-Channel 75V 120A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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