IRF7702
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| Número de pieza | IRF7702 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF7702 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5167 pcs | Ficha de datos | IRF7702 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-TSSOP | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 81nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
| Descripción detallada | P-Channel 12V 8A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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