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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > IRF7338PBF

IRF7338PBF

IRF7338PBF
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Número de pieza IRF7338PBF
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 5035 pcs
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Número de pieza IRF7338PBF Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5035 pcs Ficha de datos IRF7338PbF
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SO Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 34 mOhm @ 6A, 4.5V Potencia - Max 2W
embalaje Tube Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres *IRF7338PBF
SP001565278		 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V Tipo FET N and P-Channel
Característica de FET Logic Level Gate Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12V
Descripción detallada Mosfet Array N and P-Channel 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A, 3A
Número de pieza base IRF7338PBF

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