IRF6611
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| Número de pieza | IRF6611 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF6611 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4423 pcs | Ficha de datos | IRF6611 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.25V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DIRECTFET™ MX | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 27A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 3.9W (Ta), 89W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | DirectFET™ Isometric MX |
| Otros nombres | IRF6611TR | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4860pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 56nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 150A (Tc) |
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