IRF640NLPBF
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| Número de pieza | IRF640NLPBF |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.867 | $0.782 | $0.629 | $0.489 | $0.405 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF640NLPBF | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 74671 pcs | Ficha de datos | IRF640N(S,L)PbF |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-262 | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 150 mOhm @ 11A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | *IRF640NLPBF SP001563296 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 67nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V | Descripción detallada | N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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