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IRF5802

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Número de pieza IRF5802
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 5548 pcs
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Número de pieza IRF5802 Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 5548 pcs Ficha de datos IRF5802
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo Micro6™(TSOP-6) Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2 Ohm @ 540mA, 10V La disipación de energía (máximo) 2W (Ta)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.8nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150V Descripción detallada N-Channel 150V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)

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