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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IRF3704ZPBF

IRF3704ZPBF

IRF3704ZPBF
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Número de pieza IRF3704ZPBF
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 5945 pcs
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Número de pieza IRF3704ZPBF Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5945 pcs Ficha de datos IRF3704Z(S,L)PbF
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 2.55V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 7.9 mOhm @ 21A, 10V La disipación de energía (máximo) 57W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres *IRF3704ZPBF
SP001561776		 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1220pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 13nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V Descripción detallada N-Channel 20V 67A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)

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