IRF1010ZPBF
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| Número de pieza | IRF1010ZPBF |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.651 | $0.587 | $0.472 | $0.367 | $0.304 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF1010ZPBF | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 70571 pcs | Ficha de datos | IRF1010Z (S,L) PbF |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 140W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | *IRF1010ZPBF SP001553844 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 95nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V | Descripción detallada | N-Channel 55V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
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