IRF100S201
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| Número de pieza | IRF100S201 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.649 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF100S201 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 49816 pcs | Ficha de datos | IRF100(B,S)201 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) | Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 115A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 441W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | IRF100S201-ND IRF100S201TR SP001550868 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 255nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 192A (Tc) |
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