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IPW65R080CFDAFKSA1

IPW65R080CFDAFKSA1
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Número de pieza IPW65R080CFDAFKSA1
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 10061 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza IPW65R080CFDAFKSA1 Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 10061 pcs Ficha de datos IPW65R080CFDA
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 1.76mA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo PG-TO247-3 Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 80 mOhm @ 17.6A, 10V La disipación de energía (máximo) 391W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-247-3
Otros nombres SP000875806 Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4440pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 161nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650V Descripción detallada N-Channel 650V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 43.3A (Tc)

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