BSP321PL6327HTSA1
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| Número de pieza | BSP321PL6327HTSA1 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | BSP321PL6327HTSA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4943 pcs | Ficha de datos | BSP321P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 380µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-SOT223-4 | Serie | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 900 mOhm @ 980mA, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres | BSP321P L6327 BSP321P L6327-ND BSP321PL6327HTSA1TR SP000212228 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 319pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | P-Channel 100V 980mA (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 980mA (Tc) |
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