IXDN602SIATR
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| Número de pieza | IXDN602SIATR |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Integrated Circuits Division |
| Descripción | 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.201 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXDN602SIATR | Fabricante | IXYS Integrated Circuits Division |
|---|---|---|---|
| Descripción | 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 103916 pcs | Ficha de datos | IXDx602 |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 35 V |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | Serie | - |
| Tiempo de subida / bajada (típico) | 7.5ns, 6.5ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| estilo de la llave | 2 | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 7 Weeks |
| Tensión lógica - VIL, VIH | 0.8V, 3V | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada | Non-Inverting | Tipo de Puerta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Configuración impulsada | Low-Side | Descripción detallada | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero) | 2A, 2A | Corriente de carga | Independent |
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