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IXTY4N60P

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Número de pieza IXTY4N60P
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 52175 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza IXTY4N60P Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH TO-252 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 52175 pcs Ficha de datos IXT(A,P,U,Y)4N60P
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-252 Serie PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V La disipación de energía (máximo) 89W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 635pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 13nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)

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