IXTP2R4N50P
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| Número de pieza | IXTP2R4N50P |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.436 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXTP2R4N50P | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 73365 pcs | Ficha de datos | IXT(P,Y)2R4N50P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5.5V @ 25µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | Serie | PolarHV™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.75 Ohm @ 500mA, 10V | La disipación de energía (máximo) | 55W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 2.4A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220AB | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
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