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IXTP14N60P

IXTP14N60P
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Número de pieza IXTP14N60P
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 33838 pcs
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Número de pieza IXTP14N60P Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 33838 pcs Ficha de datos IXT(A,P,Q) 14N60P
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB Serie PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs 550 mOhm @ 7A, 10V La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 36nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V Descripción detallada N-Channel 600V 14A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)

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