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IXTP110N055T2

IXTP110N055T2
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Número de pieza IXTP110N055T2
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 45479 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza IXTP110N055T2 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 45479 pcs Ficha de datos IXT(A,P)110N055T2
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB Serie TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs 6.6 mOhm @ 25A, 10V La disipación de energía (máximo) 180W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 57nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55V Descripción detallada N-Channel 55V 110A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)

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