IXTM50N20
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| Número de pieza | IXTM50N20 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | POWER MOSFET TO-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXTM50N20 | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | POWER MOSFET TO-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5773 pcs | Ficha de datos | IXT(H,M)50N20 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-204AE | Serie | GigaMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | TO-204AE | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 220nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V | Descripción detallada | N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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