IXTH10P60
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| Número de pieza | IXTH10P60 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.771 | $3.092 | $2.79 | $2.338 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXTH10P60 | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 13660 pcs | Ficha de datos | IXT(H,T)10P60 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 (IXTH) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Otros nombres | Q1152201 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
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