IXTA3N110
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| Número de pieza | IXTA3N110 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.128 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXTA3N110 | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 15125 pcs | Ficha de datos | IXT(A,P)3N110/120 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-263 (IXTA) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4 Ohm @ 1.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 42nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1100V | Descripción detallada | N-Channel 1100V 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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