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IXFN520N075T2

IXFN520N075T2
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Número de pieza IXFN520N075T2
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 6329 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs10 pcs30 pcs
$8.653$8.004$7.355
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Número de pieza IXFN520N075T2 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 6329 pcs Ficha de datos IXFN520N075T2
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B Serie GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs 1.9 mOhm @ 100A, 10V La disipación de energía (máximo) 940W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 41000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 545nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 75V Descripción detallada N-Channel 75V 480A (Tc) 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 480A (Tc)

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  • Parte#:IXFN55N50F
  • Fabricantes:IXYS RF
  • Descripción:MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
  • En stock:3478
$10.056/pcsInvestigación
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