IXFN30N110P
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| Número de pieza | IXFN30N110P |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.997 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXFN30N110P | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2559 pcs | Ficha de datos | IXFN30N110P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 6.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-227B | Serie | Polar™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 360 mOhm @ 15A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 695W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 235nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1100V |
| Descripción detallada | N-Channel 1100V 25A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
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