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IXFN130N30

IXFN130N30
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Número de pieza IXFN130N30
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 2471 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza IXFN130N30 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 2471 pcs Ficha de datos IXFN130N30
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B Serie HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 22 mOhm @ 500mA, 10V La disipación de energía (máximo) 700W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14500pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 380nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300V
Descripción detallada N-Channel 300V 130A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)

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  • Parte#:IXFN102N30P
  • Fabricantes:IXYS
  • Descripción:MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
  • En stock:5163
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