IDT71V632S8PF
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| Número de pieza | IDT71V632S8PF |
|---|---|
| Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descripción | IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | IDT71V632S8PF | Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4466 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
| Suministro de voltaje | 3.135 V ~ 3.63 V | Tecnología | SRAM - Synchronous |
| Paquete del dispositivo | 100-TQFP (14x14) | Serie | - |
| embalaje | Tray | Paquete / Cubierta | 100-LQFP |
| Otros nombres | 71V632S8PF | Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 2Mb (64K x 32) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Descripción detallada | SRAM - Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 32) Parallel 8ns 100-TQFP (14x14) |
| Número de pieza base | IDT71V632 | Tiempo de acceso | 8ns |
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