IDT71V416S10BEI
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| Número de pieza | IDT71V416S10BEI |
|---|---|
| Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descripción | IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IDT71V416S10BEI | Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4627 pcs | Ficha de datos | IDT71V416S/L |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 10ns |
| Suministro de voltaje | 3 V ~ 3.6 V | Tecnología | SRAM - Asynchronous |
| Paquete del dispositivo | 48-CABGA (9x9) | Serie | - |
| embalaje | Tray | Paquete / Cubierta | 48-TFBGA |
| Otros nombres | 71V416S10BEI | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Descripción detallada | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-CABGA (9x9) |
| Número de pieza base | IDT71V416 | Tiempo de acceso | 10ns |
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