70V659S10DR
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| Número de pieza | 70V659S10DR |
|---|---|
| Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descripción | IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 70V659S10DR | Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4061 pcs | Ficha de datos | IDT SuffixesIDT70V659/58/57S |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 10ns |
| Suministro de voltaje | 3.15 V ~ 3.45 V | Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Paquete del dispositivo | 208-PQFP (28x28) | Serie | - |
| embalaje | Tray | Paquete / Cubierta | 208-BFQFP |
| Otros nombres | IDT70V659S10DR IDT70V659S10DR-ND |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Descripción detallada | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28) |
| Número de pieza base | IDT70V659 | Tiempo de acceso | 10ns |
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