70V3579S6BC8
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| Número de pieza | 70V3579S6BC8 |
|---|---|
| Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descripción | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $18.817 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 70V3579S6BC8 | Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 2062 pcs | Ficha de datos | 70V3579SIDT Suffixes |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
| Suministro de voltaje | 3.15 V ~ 3.45 V | Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Paquete del dispositivo | 256-CABGA (17x17) | Serie | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 256-LBGA |
| Otros nombres | IDT70V3579S6BC8 IDT70V3579S6BC8-ND |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 4 (72 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 6ns 256-CABGA (17x17) | Número de pieza base | IDT70V3579 |
| Tiempo de acceso | 6ns |
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