70T633S10BCI
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| Número de pieza | 70T633S10BCI |
|---|---|
| Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descripción | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 12 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $62.304 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 70T633S10BCI | Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 519 pcs | Ficha de datos | IDT SuffixesIDT70T633/1S |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 10ns |
| Suministro de voltaje | 2.4 V ~ 2.6 V | Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Paquete del dispositivo | 256-CABGA (17x17) | Serie | - |
| embalaje | Tray | Paquete / Cubierta | 256-LBGA |
| Otros nombres | IDT70T633S10BCI IDT70T633S10BCI-ND |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 9Mb (512K x 18) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17) | Número de pieza base | IDT70T633 |
| Tiempo de acceso | 10ns |
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