6116LA55TDB
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| Número de pieza | 6116LA55TDB |
|---|---|
| Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descripción | IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 300 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.628 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 6116LA55TDB | Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 6976 pcs | Ficha de datos | IDT6116SA(LA) |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 55ns |
| Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V | Tecnología | SRAM - Asynchronous |
| Paquete del dispositivo | 24-CDIP | Serie | - |
| embalaje | Tray | Paquete / Cubierta | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Otros nombres | IDT6116LA55TDB IDT6116LA55TDB-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 55ns 24-CDIP | Número de pieza base | IDT6116 |
| Tiempo de acceso | 55ns |
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