HTNFET-DC
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| Número de pieza | HTNFET-DC |
|---|---|
| Fabricante | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $163.594 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | HTNFET-DC | Fabricante | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 232 pcs | Ficha de datos | HTNFET Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 100µA |
| Vgs (Max) | 10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | - | Serie | HTMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V | La disipación de energía (máximo) | 50W (Tj) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 8-CDIP Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento | - | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V | Descripción detallada | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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