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MBR20080CTR

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Número de pieza MBR20080CTR
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 2043 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza MBR20080CTR Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 2043 pcs Ficha de datos Twin Tower Pkg DrawingMBR20045CT ~ 200100CTR
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 840mV @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 80V Paquete del dispositivo Twin Tower
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
embalaje Bulk Paquete / Cubierta Twin Tower
Otros nombres MBR20080CTRGN Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Schottky
configuración de diodo 1 Pair Common Anode Descripción detallada Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 80V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr 5mA @ 20V Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 200A (DC)

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