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ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC
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Número de pieza ZXMN6A09KTC
Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 65060 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza ZXMN6A09KTC Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 65060 pcs Ficha de datos ZXMN6A09KTC
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-252-3 Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 40 mOhm @ 7.3A, 10V La disipación de energía (máximo) 2.15W (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres ZXMN6A09KTCTR Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1426pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 29nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V Descripción detallada N-Channel 60V 7.7A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Ta)

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