ZXMN2A04DN8TC
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| Número de pieza | ZXMN2A04DN8TC |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | ZXMN2A04DN8TC | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4033 pcs | Ficha de datos | ZXMN2A04DN8 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Paquete del dispositivo | 8-SOP | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V | Potencia - Max | 1.8W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1880pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22.1nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.9A |
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