ZXMN10A25K
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| Número de pieza | ZXMN10A25K |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.166 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | ZXMN10A25K | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 142144 pcs | Ficha de datos | ZXMN10A25K |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-252-3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.9A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2.11W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 859pF @ 50V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17.16nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
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