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ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA
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Número de pieza ZXMHC6A07T8TA
Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 71908 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza ZXMHC6A07T8TA Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 71908 pcs Ficha de datos ZXMHC6A07T8TA
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA
Paquete del dispositivo SM8 Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 300 mOhm @ 1.8A, 10V Potencia - Max 1.3W
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SOT-223-8
Otros nombres ZXMHC6A07T8TR Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 20 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 166pF @ 40V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.2nC @ 10V
Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Característica de FET Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V Descripción detallada Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.6A, 1.3A 1.3W Surface Mount SM8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A, 1.3A Número de pieza base ZXMHC6A07T8

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