ZXM66P02N8TC
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| Número de pieza | ZXM66P02N8TC |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | ZXM66P02N8TC | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5821 pcs | Ficha de datos | ZXM66P02N8T(A, C) Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 700mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.56W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2068pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 43.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.4A (Ta) |
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